閱讀排名更多
-
上海郵政快遞倉(cāng)儲(chǔ)設(shè)施和服務(wù)發(fā)展獲政策支持《優(yōu)化提升本市物流倉(cāng)儲(chǔ)設(shè)施及服務(wù)行動(dòng)方案(202....
推薦展會(huì)更多
微電子所在新型納米環(huán)柵CMOS工藝與器件技術(shù)方面獲進(jìn)展
2023-10-24 11:21:49微電子研究所閱讀量：339 我要評(píng)論
隨著集成電路制造技術(shù)持續(xù)演進(jìn)，堆疊納米片環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Stacked Nanosheets GAA FET)在3納米以下節(jié)點(diǎn)將替代傳統(tǒng)鰭型晶體管(FinFET)，進(jìn)一步推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。然而，面對(duì)大規(guī)模制造的需求，GAA晶體管技術(shù)需突破N型與P型器件工作電流(Ion)嚴(yán)重失配和閾值電壓(Vth)調(diào)控困難等挑戰(zhàn)。這對(duì)納米片溝道材料和高κ金屬柵材料提出了更多的技術(shù)創(chuàng)新要求。因此，針對(duì)GAA晶體管進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，已成為未來(lái)邏輯器件工藝研究的重要方向。
近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所先導(dǎo)中心研究員殷華湘團(tuán)隊(duì)基于主流GAA晶體管的制造工藝，在體硅襯底上通過(guò)調(diào)整SiGe/Si疊層外延中底部SiGe層的Ge含量，并在后柵溝道中采用納米級(jí)高選擇比SiGe層刻蝕技術(shù)，設(shè)計(jì)并制備出溝道結(jié)構(gòu)類似魚(yú)骨狀的GAA器件(FishboneFET)。
由于在傳統(tǒng)堆疊Si納米片間引入額外的應(yīng)變SiGe nano-fin結(jié)構(gòu)，在相同的平面投影面積下大幅增加了GAA器件中的溝道導(dǎo)電面積并提升了P型器件的驅(qū)動(dòng)性能。相比同類型的樹(shù)型(Tree-like)GAA器件(TreeFET)，該研究設(shè)計(jì)的FishboneFET進(jìn)一步改善了N型與P型器件的電學(xué)性能失配問(wèn)題，并利用單一功函數(shù)金屬柵材料實(shí)現(xiàn)了面向CMOS器件的閾值調(diào)控，解決了FishboneFET晶體管在CMOS集成中的關(guān)鍵問(wèn)題。
基于上述創(chuàng)新技術(shù)，科研團(tuán)隊(duì)研制出兼容主流GAA器件工藝的CMOS FishboneFET和TreeFET器件，獲得高的N/PFET器件電流開(kāi)關(guān)比，在單一功函數(shù)金屬柵下獲得更為平衡的N型與P型GAA器件驅(qū)動(dòng)性能匹配。研究發(fā)現(xiàn)，N型TreeFET和FishboneFET在抑制短溝道器件的漏致勢(shì)壘降低(DIBL)效應(yīng)上更具優(yōu)勢(shì)，且TreeFET較FishboneFET具有更低的DIBL效應(yīng)?？蒲袌F(tuán)隊(duì)提出了應(yīng)變SiGe nano-fin中的價(jià)帶補(bǔ)償理論，解釋了新結(jié)構(gòu)中的特殊電學(xué)效應(yīng)，為新型GAA晶體管導(dǎo)入高性能CMOS集成電路應(yīng)用建立了關(guān)鍵技術(shù)路徑。
近日，相關(guān)研究成果以Investigation of Fabricated CMOS FishboneFETs and TreeFETs With Strained SiGe Nano-Fins on Bulk-Si Substrate為題，發(fā)表在《電氣和電子工程師協(xié)會(huì)電子器件快報(bào)》(IEEE Electron Device Letters)上，并被選為主編重點(diǎn)推薦和“亮點(diǎn)文章”(Editors' Picks)。研究工作得到中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)專項(xiàng)(A類)和國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)等的支持。
(a)新型FishboneFET與TreeFET結(jié)構(gòu)的TEM結(jié)果；(b)堆疊SiGe/Si層中SiGe材料雙端刻蝕深度隨Ge含量變化趨勢(shì)；(c)100nm柵長(zhǎng)器件的Ids-Vgs特性@Vdsat=±0.9V；(d)器件的DIBL效應(yīng)隨柵長(zhǎng)變化關(guān)系；(e)Si NS和應(yīng)變SiGe nano-fin的能帶示意圖。
版權(quán)與免責(zé)聲明：1.凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-興旺寶合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來(lái)源：化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。 2.本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來(lái)源（非化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。 3.如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
相關(guān)新聞
-
湖南征集工業(yè)領(lǐng)域鼓勵(lì)發(fā)展的綠色低碳先進(jìn)適用技術(shù)、裝備和產(chǎn)品目錄
近日，湖南省人民政府發(fā)布通知稱，將征集工業(yè)領(lǐng)域鼓勵(lì)發(fā)展的綠色低碳先進(jìn)適用技術(shù)、裝備和產(chǎn)品目錄，覆蓋工業(yè)節(jié)能、信息化領(lǐng)域節(jié)能、工業(yè)節(jié)水、先進(jìn)環(huán)保、資源綜合利用、減污降碳等6大方向。- 2023-10-24 11:21:49
- 202
-
2023年工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)試點(diǎn)示范項(xiàng)目申報(bào)啟動(dòng)！新增新技術(shù)類方向
近日，工業(yè)和信息化部印發(fā)通知，組織開(kāi)展2023年工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)試點(diǎn)示范項(xiàng)目申報(bào)工作。- 2023-10-24 11:21:49
- 248
-
企業(yè)作為科技創(chuàng)新的主體，擔(dān)負(fù)著社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的主體責(zé)任，企業(yè)科技創(chuàng)新的能力、水平及成敗事關(guān)社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展全局。山西陽(yáng)煤化工機(jī)械（集團(tuán)）有限公司總經(jīng)理馬建峰近日接受本報(bào)記者專訪時(shí)表示，作為科技企業(yè)，一定要讓技術(shù)在科技創(chuàng)新中唱主角。- 2023-10-24 11:21:49
- 2353
昵稱 驗(yàn)證碼 請(qǐng)輸入正確驗(yàn)證碼
所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見(jiàn)，與本站立場(chǎng)無(wú)關(guān)