Intel宣布世界最先進(jìn)光刻機(jī)投產(chǎn)！晶圓生產(chǎn)效率/可靠性翻倍

2025-02-27 16:09:43快科技閱讀量：13248      我要評(píng)論

　　2月25日消息，Intel宣布，ASML首批兩臺(tái)高數(shù)值孔徑（High-NA EUV）極紫光刻機(jī)已經(jīng)在其工廠投入生產(chǎn)。初步數(shù)據(jù)顯示，其效率、可靠性比上一代EUV光刻機(jī)都有明顯提升。

　　Intel資深首席工程師Steve Carson表示，Intel利用先進(jìn)光刻機(jī)已在一季內(nèi)生產(chǎn)3萬片晶圓，這些晶圓可以產(chǎn)出數(shù)千顆計(jì)算芯片。

　　這兩臺(tái)光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)，能夠比之前的阿斯麥光刻機(jī)生產(chǎn)出更小、更快的計(jì)算芯片。

　　去年，Intel成為了全球首家接收這些光刻機(jī)的芯片制造商。此舉是Intel的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變，該公司在采用上一代極紫外 (EUV) 光刻機(jī)方面落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

　　Intel花了七年時(shí)間才將之前的機(jī)器全面投入生產(chǎn)，導(dǎo)致其領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)被臺(tái)積電超越。在生產(chǎn)初期，Intel曾因先前那些EUV機(jī)型的可靠性問題而遇到挫折。

　　不過Carson表示，ASML的高數(shù)值孔徑（High-NA EUV）極紫光刻機(jī)在初步測(cè)試中的可靠性大約是前一代機(jī)器的兩倍，“我們能以一致速度生產(chǎn)晶圓，這對(duì)平臺(tái)是一大幫助”。

　　同時(shí)，新的光刻機(jī)能以更少曝光次數(shù)完成與早期設(shè)備相同的工作，從而節(jié)省時(shí)間和成本。 Carson指出，Intel工廠的早期結(jié)果顯示，高數(shù)值孔徑（High-NA EUV）極紫光刻機(jī)只需要一次曝光和個(gè)位數(shù)的處理步驟，即可完成早期機(jī)器需要三次曝光和約40個(gè)處理步驟的工作。

　　去年2月份，ASML首次在其荷蘭總部向媒體公開展示了最新一代的High NA EUV光刻機(jī)。

　　據(jù)悉，一套High NA EUV光刻機(jī)的大小等同于一臺(tái)雙層巴士，重量更高達(dá)150噸，組裝起來比卡車還大，需要被分裝在250個(gè)單獨(dú)的板條箱中進(jìn)行運(yùn)輸。

　　裝機(jī)時(shí)間預(yù)計(jì)需要250名工程人員、歷時(shí)6個(gè)月才能安裝完成。

　　根據(jù)爆料顯示，High NA EUV的售價(jià)高達(dá)3.5億歐元一臺(tái)，約合人民幣27億元，它將成為全球三大晶圓制造廠實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。

　　2023年12月，Intel率先拿下了全球首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)，臺(tái)積電和三星訂購(gòu)High NA EUV預(yù)計(jì)最快2026年到貨。

　　公開資料顯示，NA數(shù)值孔徑是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo)，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率，以及最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。

　　一般來說，金屬間距縮小到30nm以下之后，也就是對(duì)應(yīng)的工藝節(jié)點(diǎn)超越5nm，低數(shù)值孔徑光刻機(jī)的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術(shù)來輔助。

　　這樣不但會(huì)大大增加成本，還會(huì)降低良品率。因此，更高數(shù)值孔徑成為必需。

　　Intel表示，計(jì)劃使用High NA EUV光刻機(jī)來協(xié)助開發(fā)其18A制程，該技術(shù)預(yù)計(jì)今年稍晚時(shí)隨著新一代PC芯片進(jìn)入量產(chǎn)。

　　此外，Intel計(jì)劃在下一代14A制程中全面導(dǎo)入這款設(shè)備，但尚未公布該技術(shù)量產(chǎn)時(shí)間。

　　原標(biāo)題：世界最先進(jìn)！ASML High-NA EUV光刻機(jī)已在Intel投入生產(chǎn)：晶圓生產(chǎn)效率、可靠性翻倍

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