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VTF-PECVD-1200立式單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號VTF-PECVD-1200

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更新時間：2023-07-05 15:31:10瀏覽次數(shù)：64次

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南京萊步科技實業(yè)有限公司

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聯(lián)系人：張再芳

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品摘要: VTF-PECVD-1200立式單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)以瑞典Kanthal電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，抽真空時真空度能夠達到10-3 Pa，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能、等優(yōu)點。

詳細介紹

產(chǎn)品描述

VTF-PECVD-1200-立式單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)詳細介紹：

VTF-PECVD-1200立式單溫PECVD系統(tǒng)，由VTL-VTF1200真空立式管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。

主要特點：

1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。

4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。

5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

VTF1200-PECVD系統(tǒng)以瑞典Kanthal電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，抽真空時真空度能夠達到10-3 Pa，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能、等優(yōu)點。

1、瑞典Kanthal A1 電阻絲