粉碎設(shè)備 混合設(shè)備 分離設(shè)備 濃縮結(jié)晶設(shè)備 傳質(zhì)設(shè)備 干燥設(shè)備 反應(yīng)設(shè)備 換熱設(shè)備 制冷設(shè)備 空分設(shè)備 儲(chǔ)存設(shè)備 鍋爐|加熱設(shè)備 包裝機(jī)械 輸送設(shè)備 化工實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
深圳市華科智源科技有限公司
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產(chǎn)品型號(hào)HUSTEC-IFSM-1200A
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更新時(shí)間：2024-04-15 10:24:52瀏覽次數(shù)：45次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)華科智源-10us浪涌電流測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，電流可達(dá)50kA;
華科智源-10us浪涌電流測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過(guò)載電流。
半導(dǎo)體器件在工作時(shí)，有時(shí)要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同，為了檢測(cè)器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個(gè)大的浪涌電流施加于被測(cè)器件上，從而檢測(cè)被測(cè)器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。
華科智源10us浪涌電流測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)的測(cè)試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。浪涌電流試驗(yàn)臺(tái)，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：
1、該試驗(yàn)臺(tái)是一套大電流、高電壓的測(cè)試設(shè)備，對(duì)設(shè)備的電氣性能要求高。
2、該試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。
3、該試驗(yàn)臺(tái)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。
4、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成：
a、浪涌測(cè)試單元
b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元
c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
1、環(huán)境溫度：15—40℃
2、相對(duì)濕度：存放濕度不大于80%
3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa
4、海拔高度：1000米以下
5、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波
6、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
7、電源功率：小于1.5KW
8、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9
1、浪涌電流（ITSM/IFSM）測(cè)試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等
2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3%
浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波；
3、浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等
4、測(cè)試頻率：?jiǎn)未?；重?fù)
5、反向電壓（VRRM）測(cè)試范圍：200～2000V；
6、反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3%；
7、反向電壓頻率：DC直流
8、各種模塊均手動(dòng)連接，并以單管形式測(cè)試。
9、采用計(jì)算機(jī)控制、采樣及顯示；
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