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BP120系列擴(kuò)散硅壓力溫度集成敏感芯片

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數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)、MEMS工藝制造壓力與溫度擴(kuò)散硅元件單片集成

詳細(xì)介紹

1、主要特點(diǎn)
數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)、MEMS工藝制造
壓力與溫度擴(kuò)散硅元件單片集成
優(yōu)良表面態(tài)和時(shí)漂特性
多開/閉合惠斯登電橋連接形式
智能傳感器的核心芯片
適于表壓、絕壓、差壓與溫度組合測(cè)量
覆蓋低、中、高寬壓力量程范圍
2、主要性能技術(shù)指標(biāo)

序號(hào)
項(xiàng)目
規(guī)格指標(biāo)
備注
1
組合敏感類型
表壓-溫度
絕壓-溫度
差壓-靜壓-溫度
表壓-絕壓-溫度

2
硅晶圓類型
全硅單晶
SOI硅單晶

3
基準(zhǔn)壓力量程
表壓、
絕壓
差壓

0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa
0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、

過(guò)載能力
≥3倍基準(zhǔn)量程（≤10MPa）；≥1. 5倍基準(zhǔn)量程（＞10MPa）；
≥1. 25倍基準(zhǔn)量程（≥60MPa）
雙向≥4倍基準(zhǔn)量程
1^*

橋路電阻
3～5kΩ

4
零點(diǎn)輸出
≤ ±20mV
2^*
5
滿量程輸出
≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基準(zhǔn)量程）
2^*
6
準(zhǔn)確度
≤ ±0.15%FS （其它基準(zhǔn)量程）；≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）；
± 0.5%FS（≤10kPa）
3^*
7
工作溫度
-55～+125℃；-55～+150℃

8
零點(diǎn)熱漂移
≤ 6%FS/℃（≤10kPa）
≤ 4%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）
4^*、5^*
9
滿量程熱漂移
≤10%FS/℃（≤10kPa）
≤ 8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）
4^*、5^*
10
PN結(jié)硬擊穿電壓
≥25V(I=10μA檔)

11
短期穩(wěn)定性
±0.05%FS/8h

12
供電電源
恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V

13
電橋形式
閉橋

14
熱敏電阻阻值
40～60kΩ
6^*
15
熱敏電阻溫度系數(shù)
≥50Ω/℃
6^*

芯片表面尺度
≤3.5×2.75（mm）
≤2.3×2（mm）
≤1.55×1.55（mm）
7^*

注：1^*. 100MPa量程過(guò)載為本量程上限；
2^*. 5VDC恒壓激勵(lì)，恒溫25℃；
3^*.非線性數(shù)據(jù)計(jì)算為最小二乘法；
4^*. 1mA恒流激勵(lì)，恒溫25℃；
5^*. 55℃溫區(qū)為-30～25℃或25～80℃；
6^*.可定制；
7^*.硅片厚度c=500μm。

注：可提供定制服務(wù)，如有需求請(qǐng)與營(yíng)銷人員聯(lián)系。

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序號(hào)	項(xiàng)目	規(guī)格指標(biāo)									備注
1	組合敏感類型	表壓-溫度	絕壓-溫度			差壓-靜壓-溫度				表壓-絕壓-溫度
2	硅晶圓類型	全硅單晶				SOI硅單晶
3	基準(zhǔn)壓力量程	表壓、			絕壓			差壓
		0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa			100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa			0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、
	過(guò)載能力	≥3倍基準(zhǔn)量程（≤10MPa）；≥1. 5倍基準(zhǔn)量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基準(zhǔn)量程（≥60MPa）					雙向≥4倍基準(zhǔn)量程				1^*
	橋路電阻	3～5kΩ
4	零點(diǎn)輸出	≤ ±20mV									2^*
5	滿量程輸出	≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基準(zhǔn)量程）									2^*
6	準(zhǔn)確度	≤ ±0.15%FS （其它基準(zhǔn)量程）；≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）； ± 0.5%FS（≤10kPa）									3^*
7	工作溫度	-55～+125℃；-55～+150℃
8	零點(diǎn)熱漂移	≤ 6%FS/℃（≤10kPa） ≤ 4%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）									4^、5^
9	滿量程熱漂移	≤10%FS/℃（≤10kPa） ≤ 8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）									4^、5^
10	PN結(jié)硬擊穿電壓	≥25V(I=10μA檔)
11	短期穩(wěn)定性	±0.05%FS/8h
12	供電電源	恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V
13	電橋形式	閉橋
14	熱敏電阻阻值	40～60kΩ									6^*
15	熱敏電阻溫度系數(shù)	≥50Ω/℃									6^*
	芯片表面尺度	≤3.5×2.75（mm）		≤2.3×2（mm）					≤1.55×1.55（mm）		7^*

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