介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
  GDAT-A      
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀的詳細資料：
 一、   介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值顯示等新技術，改進了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
二、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀的技術指標
  1．Q值測量
   a．Q值測量范圍：2～1023。
   b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
 c．標稱誤差
項    目
GDAT-A
頻率范圍
20kHz～10MHz；
固有誤差
≤5％±滿度值的2％；
工作誤差
≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍
10MHz～60MHz；
固有誤差
≤6％±滿度值的2％；
工作誤差
≤8％±滿度值的2％。
   2．電感測量范圍：14.5nH~8.14H
 
 
 
 
3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀電容測量：1~ 460
項    目
GDAT-A
直接測量范圍
1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準確度
30～500pF
150pF以下±1.5pF；
150pF以上±1％
   注：大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
   4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀信號源頻率覆蓋范圍
項     目
GDAT-A
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
（虛擬）
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz    
頻率指示誤差
3×10-5±1個字
   5．Q合格指示預置功能
      預置范圍：5～1000。
   6．Q表正常工作條件
   a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；                    
b．相對濕度：<80％； 
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
   7．其他
   a．消耗功率：約25W； 
b．凈重：約7kg； 
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
   8．產(chǎn)品配置：
a.測試主機一臺；
b.電感9只；
c.夾具一套  
電感：
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
            
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH
 
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