法國施耐德XS112B3NAM12接近開關

　在傳感器的應用中，接近開關傳感器電阻絲靈敏度系數(shù)表達式中的值通常要比E大得多，而半導體材料的E項的值比1+2U大得多。實驗表明，在電阻絲拉伸極限內，電阻的相對變化與應變成正比，即K為常數(shù)。

　　半導體應變片是用半導體材料制成的，其工作原理是基于半導體材料的壓阻效應。當半導體材料受到某一軸向外力作用時，其電阻率P發(fā)生變化的現(xiàn)象為半導體材料的壓阻效應。當半導體應變片受軸向力作用時，其大小與半導體敏感元件在軸向所承受的應變力O有關。

　　通常半導體應變片的靈敏系數(shù)比金屬絲式高50-80倍，其主要缺點是溫度系數(shù)大，應變時的非線性比較嚴重，因此應用范圍受到一定的限制。

　　電阻應變片的靈敏度K=2，R=120歐，設工作時其應變?yōu)?000UE，問R=多少。將此應變片接成電阻應變片線圖的電路時，可以發(fā)現(xiàn)。

　　1、無應變時電表示值;

　　2、有應變時電流表示值;

　　3、電流表指示值相對變化量。

　1、接近開關傳感器的電橋電壓靈敏度正比于電橋供電電壓U，供電電壓越高，電橋電壓靈敏度越高，而供電電壓的提高受到應變片允許功耗的限制，所以要作適當選擇。

　　2、電橋電壓靈敏度是橋臂電阻比值N的函數(shù)，恰當?shù)剡x擇N值，保證電橋具有較高的電壓靈敏度。

　　3、應變片的敏感柵是由金屬或半導體材料制成的，因此工作時既能感受應變，又是溫度的敏感元件。因為應變引起的電阻值變化很小，所以要提高測量精度，就必須消除或減小溫度的影響。

　　電阻溫度系數(shù)和試件材料和電阻絲材料的線膨系數(shù)是產(chǎn)生應變片溫度誤差的主要因素。實際應用中，必須對電阻應變片進行溫度補償，電阻應變片的溫度補償方法通常有線路補償法和應變片自補償兩大類。

　　4、電阻應變片是將外力作用引起的應變轉換成電阻值的變化，再通過測量電橋將電阻值的變化轉化為電壓信號，從而確定外力的大小。所以應變片粘貼的位置合理與否，接入電橋的方式恰當與否等均會影響終的測量結果。

法國施耐德XS112B3NAM12接近開關