法國施耐德 XS2N08NA340D接近開關

霍爾效應原理在垂直于外磁場的方向上放置導體，給導體通以電流。導體中的電使金屬中自由電子在電場作用下做定向運動。置于磁場中的靜止載流導體，當它的電方向與磁場方向不*時，載流導體上平行于電和磁場方向上的兩個面之間產(chǎn)生電動勢，這種現(xiàn)象稱為霍爾接近開關傳感器的效應。該電動勢稱為霍爾電動勢。

　　電子受洛倫茲力的作用大小為：FL=EUB

　　公式中：E-電荷;U-電子平均運動速度;B-磁感應強度。

　　電子除了沿電流反方向作定向運動外，還在FL的作用下漂移，結果使金屬導電板內(nèi)側面積累電子，而外側面積累正電荷，從而形成了附加內(nèi)電場EH，稱為霍爾電場，霍爾電場強度為：EH=UH/B

霍爾接近開關傳感器的元件結構是霍爾元件的結構方面相對較簡單，它是由霍爾元件、四根引線和殼體組成?；魻栐薜氖且粔K矩形半導體單晶薄片，引出四根引線：

　　1、*根線加激勵電壓或電流，稱為激勵電極(或控制電極);

　　2、第二根線為霍爾輸出引線，稱為霍爾電極。霍爾電元的殼體是用非導磁金屬、陶瓷或環(huán)氧樹脂封裝。在電路中，霍爾元件一般可用兩種符號表示。

　　霍爾元件的基本檢測電路是用來調(diào)節(jié)激勵電的大小，電源E用以提供激勵電流，霍爾元件輸出端接負載電阻(也可是測量儀表內(nèi)阻或放大器輸入電阻)霍爾效應建立的時間很短，所以也可以用頻率很高的交流激勵電流，由于霍爾電動勢正比于激勵電流和磁感應強度，因此在實際應用中，可以把激勵電流或磁感應強度作為輸入信號進行檢測。

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