圖爾克BI10-P30SK-Y1X接近開(kāi)關(guān)
是一種無(wú)需與運(yùn)動(dòng)部件進(jìn)行機(jī)械直接接觸而可以操作的位置開(kāi)關(guān)，當(dāng)物體接近開(kāi)關(guān)的感應(yīng)面到動(dòng)作距離時(shí)，不需要機(jī)械接觸及施加任何壓力即可使開(kāi)關(guān)動(dòng)作，從而驅(qū)動(dòng)直流電器或給計(jì)算機(jī)（plc）裝置提供控制指令。接近開(kāi)關(guān)是種開(kāi)關(guān)型傳感器（即無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)）它既有行程開(kāi)關(guān)、微動(dòng)開(kāi)關(guān)的特性，同時(shí)具有傳感性能，且動(dòng)作可靠，性能穩(wěn)定，頻率響應(yīng)快，應(yīng)用壽命長(zhǎng)抗*力強(qiáng)

圖爾克BI10-P30SK-Y1X接近開(kāi)關(guān)

由于霍爾電場(chǎng)的存在，使作定向運(yùn)動(dòng)的電子除了受到洛倫茲力的作用外，還要受到霍爾效應(yīng)產(chǎn)生的電場(chǎng)力的作用，其力的大小為FH=EEH，此力阻止電荷繼續(xù)累積。隨著內(nèi)、外側(cè)面積累電荷的增加，霍爾接近開(kāi)關(guān)傳感器的電場(chǎng)增大，電子受到的霍爾電場(chǎng)力也增大因?yàn)殡娮铀苈鍌惼澚εc霍爾電場(chǎng)作用力方向相反，當(dāng)二者大小相等時(shí)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，此時(shí)電荷將不再向兩側(cè)面累積。

　　霍爾電動(dòng)勢(shì)正比于激勵(lì)電流及磁感應(yīng)強(qiáng)度，其霍爾元件的靈敏度與霍爾系數(shù)成正比，與霍爾元件的存度成反比。因此，為了提高靈敏度，霍爾元件常制成薄片形狀。若要霍爾效應(yīng)強(qiáng)，則希望有較大的霍爾系數(shù)，因此要求霍爾元件材料有較大的電阻率和載流子遷移率。一般金屬材料載流子遷移率很高，但電阻率很小;而絕緣材料電阻率*，但載流子遷移率極低，故只有半導(dǎo)體材料才適于制造霍爾元件。目前常用的霍爾元件材料有：鍺、硅、砷化甸、銻化甸等半導(dǎo)體材料。其中N型鍺容易加工制造，其霍爾系數(shù)、溫度性能和線性度都較好。N型硅的線性度，其霍爾系數(shù)、溫度性能同N型鍺。銻化甸對(duì)溫度敏感，尤其在低溫范圍內(nèi)溫度系數(shù)大，但在室溫時(shí)其霍爾系數(shù)較大。砷化甸的霍爾系數(shù)較小，溫度系數(shù)也較小，輸出特性線性度好。

 霍爾接近開(kāi)關(guān)傳感器的元件結(jié)構(gòu)是霍爾元件的結(jié)構(gòu)方面相對(duì)較簡(jiǎn)單，它是由霍爾元件、四根引線和殼體組成。霍爾元修的是一塊矩形半導(dǎo)體單晶薄片，引出四根引線：

　　1、*根線加激勵(lì)電壓或電流，稱為激勵(lì)電極(或控制電極);

　　2、第二根線為霍爾輸出引線，稱為霍爾電極。霍爾電元的殼體是用非導(dǎo)磁金屬、陶瓷或環(huán)氧樹(shù)脂封裝。在電路中，霍爾元件一般可用兩種符號(hào)表示。

　　霍爾元件的基本檢測(cè)電路是用來(lái)調(diào)節(jié)激勵(lì)電的大小，電源E用以提供激勵(lì)電流，霍爾元件輸出端接負(fù)載電阻(也可是測(cè)量?jī)x表內(nèi)阻或放大器輸入電阻)霍爾效應(yīng)建立的時(shí)間很短，所以也可以用頻率很高的交流激勵(lì)電流，由于霍爾電動(dòng)勢(shì)正比于激勵(lì)電流和磁感應(yīng)強(qiáng)度，因此在實(shí)際應(yīng)用中，可以把激勵(lì)電流或磁感應(yīng)強(qiáng)度作為輸入信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。

圖爾克BI10-P30SK-Y1X接近開(kāi)關(guān)