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上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！

KRi 離子源預(yù)清潔可以實(shí)現(xiàn)
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳?xì)浠衔餁埩?br style="box-sizing: border-box; position: relative;"/>去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?
 

KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)條件: 8寸硅片帶銅膜, 通氬氣, 60s
污染物清除: 有機(jī)物,吸附氣體
數(shù)據(jù)來源: 俄歇電子能譜 Auger spectra, 美國 KRi 原廠資料

KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)條件: 輕蝕刻, 硅片去除很薄的金屬膜, 通氬氣
污染物清除: 去除金屬薄膜 (w/ Ni/Fe)
數(shù)據(jù)來源:  美國 KRi 原廠資料




1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)利.
 

上海伯東美國 KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東: 羅先生