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KRI 離子源應(yīng)用于有機材料熱蒸鍍設(shè)備 OLED, OPV
有機金屬熱沉積系統(tǒng)是一種熱蒸發(fā)的方式, 用于將有機或金屬材料沉積到基板表面上.該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性. 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且 KRI 離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. 有機材料熱沉積系統(tǒng)使用高精準熱蒸發(fā)源作為加熱源, 并使用金屬, 石英, 陶瓷或 PBN 坩堝來容納有機材料以及 PID 控制器來控制其沉積速率. 該系統(tǒng)通常用于有機電子研究領(lǐng)域, 例如 OPV, OLED, OPD...
------ 有機材料熱蒸鍍設(shè)備 OLED, OPV -----
上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
若您需要進一步的了解離子源或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東：羅先生
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