量程

見(jiàn)探頭技術(shù)參數(shù)

傳感器種類

見(jiàn)探頭技術(shù)參數(shù)

顯示單位

Sv/h，Gy/h，rem/h，Sv，cps，cpm，Bq/cm2

主機(jī)工作溫度

-20ºC至+60ºC

主機(jī)儲(chǔ)存溫度

-30ºC至+70ºC

顯示面板

3.2英寸彩色觸摸LCD顯示屏

顯示模式

標(biāo)準(zhǔn)模式；時(shí)域圖模式

操作系統(tǒng)

圖形界面操作系統(tǒng)；中英文顯示界面

報(bào)警

聲光報(bào)警，在量程范圍內(nèi)可自定義報(bào)警閾值

報(bào)警閾值

可自定義

通信接口

USB

伸縮桿（選配）

標(biāo)配：153cm（可定制）

尺寸

L238mm；W95mm；H42mm

重量

主機(jī)：350g

電池

可充電4500mAh鋰電池

電池連續(xù)使用時(shí)間

省電模式續(xù)航時(shí)間

>24小時(shí)

>40小時(shí)

探頭型號(hào)

 描述

CS30A

NaI閃爍體探頭

測(cè)量射線種類：γ和Χ射線

探測(cè)器：φ30×30mm NaI晶體

量程：0.01µSv/h-1000µSv/h  

靈敏度：1µSv/h≥350cps(137Cs)

能量響應(yīng)：50keV-3MeV  

相對(duì)基本誤差：≤±15%

CS30B

NaI閃爍體探頭

測(cè)量射線種類：γ能譜分析

探測(cè)器：φ50×50mm NaI晶體

量程：0.001µSv/h-1000µSv/h

靈敏度：1µSv/h≥800cps（137Cs）

分辨率：<8%@662kev(137Cs)

能量響應(yīng)：50keV-2MeV  

相對(duì)基本誤差：≤±15%

CS75

環(huán)境級(jí)塑料閃爍體探頭

測(cè)量射線種類：環(huán)境級(jí)X、γ射線

探測(cè)器：φ75×75mm 塑料閃爍體

量 程：0.001µSv/h-200μSv/h

靈敏度：1µSv/h ≥1500cps(137Cs)

能量響應(yīng)：15keV-7MeV   

相對(duì)基本誤差：≤±15%

CS10

高分辨率碲鋅鎘探頭

測(cè)量射線種類：γ能譜分析

探測(cè)器：10×10×10mm3碲鋅鎘（CZT)

量程：0.01µSv/h -10mSv/h

靈敏度：1µSv/h≥60cps(137Cs)

分辨率：<1.5%@662kev(137Cs)

能量響應(yīng)：20keV-2MeV

相對(duì)基本誤差：≤±15%

CH10

NaI閃爍體探頭

測(cè)量射線種類：弱X、γ射線

探測(cè)器：φ27×27mm NaI

量程：0.01μSv/h~1000μSv/h

能量響應(yīng)：5keV-30keV(55Fe)

管電壓范圍：2kv-1250kv

相對(duì)基本誤差：≤±15%

GM30A

餅型GM管探頭

測(cè)量射線種類：α、β、γ和Χ射線

探測(cè)器：餅型GM管，有效直徑45mm，云母窗密度1.5-2mg/cm2

量程：0. 01µSv/h-1000µSv/h

靈敏度：1µSv/h ≥7cps（137Cs）

α能量響應(yīng)：從2.6MeV起

β能量響應(yīng)：從100keV起

X、γ能量響應(yīng)：20keV-3MeV  

相對(duì)基本誤差：≤±15%

ION-H

超高量程閃爍體探頭

測(cè)量射線種類：X、γ射線

探測(cè)器：耐輻照閃爍體傳感器，可長(zhǎng)時(shí)間在高量程下工作

量程：1µSv/h-1Sv/h

5µSv/h-10Sv/h

50µSv/h-50Sv/h

100µSv/h-100Sv/h

200µSv/h-200Sv/h

能量響應(yīng)：60keV-3MeV      

相對(duì)基本誤差：≤±15%

N10

H型中子伽馬探頭 

測(cè)量射線種類：中子、γ射線

探測(cè)器：柯雷H型  4π全向探頭

探測(cè)晶體尺寸：10×10×10(mm3)

量程：中子：0.1μSv/h -10mSv/h   γ：0.01μSv/h-20mSv/h

靈敏度：中子：1µSv/h ≥0.5cps(252Cf)

能量響應(yīng)：中子：0.0025eV-16MeV   γ：50keV-3MeV   

γ抑制比：1000:1(137Cs)

相對(duì)基本誤差：≤±15%；中子(252Cf )、γ(137Cs)

N20

H型中子伽馬探頭 

測(cè)量射線種類：中子、γ射線

探測(cè)器：柯雷H型  4π全向探頭

探測(cè)晶體尺寸：20×20×20(mm3)

量程：中子：0.1μSv/h -10mSv/h   γ：0.01μSv/h-10mSv/h

靈敏度：中子：1µSv/h ≥2.7cps(252Cf)

能量響應(yīng)：中子：0.0025eV-16MeV   γ：50keV-3MeV   

γ抑制比：1000:1(137Cs)

相對(duì)基本誤差：≤±15%；中子(252Cf )、γ(137Cs)

RW10

NaI閃爍體探頭

測(cè)量射線種類：水下X、γ射線，100米水下連續(xù)工作

探測(cè)器：φ35×35mm NaI晶體

量程：0.01µSv/h-1500µSv/h

靈敏度：1µSv/h ≥500cps(137Cs)

能量響應(yīng)：50keV-3MeV

相對(duì)基本誤差：≤±15%

CS170

大面積表面污染探頭

測(cè)量射線種類：α、β射線

探測(cè)器：ZnS+塑料閃爍體探測(cè)器

有效面積：170cm²

量程：0-1Mcps

能量范圍：α>3MeV  β>150keV

探測(cè)效率：α≥24%(241Am)；β≥30%(204Ti)

探測(cè)本底：α通道≤ 0.1cps ；β通道≤ 12cps

相對(duì)基本誤差：≤±15%

CS30D

表面污染探頭

測(cè)量射線種類：α、β射線

探測(cè)器：ZnS+塑料閃爍體探測(cè)器

有效面積：30cm²     

計(jì)數(shù)范圍：1-105

探測(cè)效率：α≥30%(239Pu)；β≥25%

探測(cè)本底：每分鐘計(jì)數(shù)α≤3；β≤120

相對(duì)基本誤差：≤±15%