等離子設(shè)備品牌廠家清洗表面處理機供應(yīng)：誠峰智造

噴射型AP等離子處理系統(tǒng)CRF-APO-DP1010-D

名稱（Name） 噴射型AP等離子處理系統(tǒng)

型號（Model） CRF-APO-DP1010-D

電源（Power supply） 220V/AC,50/60Hz

功率（Power） 1000W/25KHz

處理高度（Processing height） 5-15mm

處理寬幅（Processing width） 1-6mm（Option）

內(nèi)部控制模式（Internal control mode） 數(shù)字控制

外部控制模式（External control mode） RS485/RS232數(shù)字通訊口、

模擬量控制口 工作氣體（Gas）

Compressed Air （0.4mpa）

產(chǎn)品特點：可選配多種類型噴嘴，使用于不同場合，滿足各種不同產(chǎn)品和處理環(huán)境；

具有RS485/232數(shù)字通訊口和模擬量控制口，滿足客戶多元化需求。

設(shè)備尺寸小巧，方便攜帶和移動，節(jié)省客戶使用空間；

可In-Line式安裝于客戶設(shè)備產(chǎn)線中，減少客戶投入成本；

使用壽命長，保養(yǎng)維修成本低，便于客戶成本控制；

應(yīng)用范圍：主要應(yīng)用于電子行業(yè)的殼印刷、涂覆、點膠等前處理，屏幕的表面處理；工業(yè)的航空航天電連接器表面清洗；通用行業(yè)的絲網(wǎng)印刷、轉(zhuǎn)移印刷前處理等。

等離子設(shè)備品牌廠家清洗表面處理機供應(yīng)

晶片清洗分為濕式清洗和干式清洗，等離子清洗屬于后者，主要去除晶片表面肉眼看不見的表面污染物。其清洗過程是將晶片放入等離子清洗機的真空反應(yīng)室中，抽出真空，達到一定的真空度后通過反應(yīng)氣體，這些反應(yīng)氣體被電離形成等離子體和晶片表面發(fā)生化學和物理反應(yīng)，生成揮發(fā)性物質(zhì)，晶片表面清潔，具有親水性。
1清洗晶圓等離子清洗機。
1-1等離子清洗晶片在千級以上的清潔室進行，對particle的要求*，超標的particle存在，晶片無法挽回的缺陷。因此，設(shè)計等離子清洗機的腔體必須首先是鋁，而不是不銹鋼。放置晶片支架的滑動部分，盡量采用不易產(chǎn)生粉塵和等離子腐蝕的材料。電極和支架易于拆卸，便于日常維護。
1-2等離子清洗機反應(yīng)室內(nèi)電極間距和層數(shù)、氣路分布對晶片處理的均勻性有很大影響，這些指標需要不斷試驗優(yōu)化。
1-3等離子清洗晶圓的過程中，會產(chǎn)生一定的熱量累積，處于工藝的需求，需要保持電極板的溫度在一定范圍內(nèi)，所以通常會給等離子清洗機的電極加水冷。
1-4多層電極等離子清洗機的生產(chǎn)能力高，可根據(jù)需要在各層支架上放置多個晶片，適用于半導(dǎo)體分立部件、電力電子部件的4英寸和6英寸晶片的光刻底膜去除等。
2晶圓級封裝前處理的等離子清洗機。
2-1晶片級封裝(WLP、WaferLevelPackage)是*的芯片封裝方式之一，即晶片整體生產(chǎn)完成后，直接在晶片上進行封裝和測試，切斷晶片整體分為單晶粒的電氣連接部分由銅凸塊(CopperBump)代替接線(WireBond)
2-2晶圓級封裝前處理的目的是清除表面的無機物，恢復(fù)氧化層，增加銅表面的粗糙度，提高產(chǎn)品的可靠性。
2-3晶圓級封裝前處理的等離子清洗機因生產(chǎn)能力的需要，真空反應(yīng)腔體、電極結(jié)構(gòu)、氣流分布、水冷裝置、均勻性等設(shè)計有顯著差異。
2-4芯片制作完成后，剩馀的光刻膠不能用濕法清洗，只能用等離子去除，但光刻膠的厚度不確定，需要調(diào)整相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)。