半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。直流 I-V    測(cè)試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ)，通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。

分立器件I-V特性測(cè)試的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個(gè)階段都有應(yīng)用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測(cè)試等。

普賽斯儀表開發(fā)的半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案，由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元（SMU）、夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例，配套以下設(shè)備：

兩臺(tái)S 型數(shù)字源表

四根三同軸電纜

夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)

三同軸 T 型頭

       需要測(cè)試的參數(shù)：    
輸出特性曲線

轉(zhuǎn)移特性曲線

跨導(dǎo) gm

擊穿電壓 BVDS

需要儀器列表：    
SMU 源表

探針臺(tái)或夾具

普賽斯上位機(jī)軟件

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