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上海禹重實業(yè)有限公司
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更新時間：2023-06-06 09:35:51瀏覽次數(shù)：130次
聯(lián)系我時，請告知來自 化工機(jī)械設(shè)備網(wǎng)FEI Nova Nano SEM 場發(fā)射掃描電子顯微鏡該產(chǎn)品是世界上*款可以對有機(jī)材料、基板、多孔材料、塑料以及高聚物材料等有電荷積累的樣品和/或污染性樣品進(jìn)行超高分辨表征的低真空場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FEG-SEM）。作為FEI公司市場的眾多設(shè)備中的一員，Nova NanoSEM為用戶在納米研究、開發(fā)與生產(chǎn)的相關(guān)工作提供了更多的可能。
FEI Nova Nano SEM 場發(fā)射掃描電子顯微鏡該產(chǎn)品是世界上*款可以對有機(jī)材料、基板、多孔材料、塑料以及高聚物材料等有電荷積累的樣品和/或污染性樣品進(jìn)行超高分辨表征的低真空場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FEG-SEM）。作為FEI公司市場的眾多設(shè)備中的一員，Nova NanoSEM為用戶在納米研究、開發(fā)與生產(chǎn)的相關(guān)工作提供了更多的可能。
FEI Nova Nano SEM 場發(fā)射掃描電子顯微鏡的出現(xiàn)為那些非導(dǎo)電的以及有污染的納米材料研究和們帶來了新的表征手段。與NanoSEM同時發(fā)布的FEI Helix探測技術(shù)將浸入式透鏡和低真空掃描電鏡兩種技術(shù)成功地組合在一起，這在場發(fā)射掃描電鏡的歷*還是*次。在給用戶帶來超高分辨率的同時，還能在低真空環(huán)境下有效地抑制非導(dǎo)電材料的電荷積累效應(yīng)。Nova NanoSEM的這種新技術(shù)還可以有效地抑制由前道樣品處理過程所引起的電子束誘導(dǎo)污染。
除了低真空條件下二次電子和背散射電子成像以外，Nova NanoSEM還具有浸入式透鏡的技術(shù)和FEI所的使用電子束進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)沉積的氣體化學(xué)技術(shù)，所有的這些特點使之成為納米結(jié)構(gòu)與納米材料是研究領(lǐng)域中zui*、的掃描電鏡
技術(shù)參數(shù)
1. 分辨率
高真空模式 1.0nm @ 15kV
1.8nm @ 1kV
0.8nm @ 30kV(STEM探測器)
低真空模式 1.5nm @ 10kV(Helix探測器)
1.8nm @ 3kV(Helix探測器)
2. 加速電壓 200V - 30kV,連續(xù)可調(diào)
3. 電子束流范圍 0.3pA - 100nA, 連續(xù)可調(diào)
4. 樣品臺移動范圍
Nova NanoSEM 230: X=Y=50mm
Nova NanoSEM 430: X=Y=100mm
Nova NanoSEM 630: X=Y=150mm
主要特點
1. 超高分辨率Schottky場發(fā)射電子槍
2. wei一的超高分辨率低真空場發(fā)射掃描電鏡. 具有高真空和低真空(<200Pa)兩種真空模式.
3. 對容易污染、容易電荷積累的納米材料和納米器件進(jìn)行觀察和分析
4. 無油真空系統(tǒng)
5. 可選配電子束曝光、電子束誘導(dǎo)沉積等納米設(shè)計/加工功能
6. FEI公司基于Windows XP的-xT用戶界面
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