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GS1200-PECVD

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更新時間：2024-01-03 18:26:27瀏覽次數(shù)：1968次

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產(chǎn)品簡介

GS1200-PECVD等離子化學(xué)氣象沉積設(shè)備介紹：本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜

詳細介紹

GS1200-PECVD等離子化學(xué)氣象沉積

設(shè)備介紹： 本設(shè)備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)。

主要特點：

1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

2、PECVD比普通CVD進行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。

4、PECVD比普通CVD進行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。

5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

開啟式管式爐技術(shù)參數(shù)
石英管尺寸	Φ100*L1200mm
加熱元件	電阻絲
測溫元件	N型熱電偶
加熱區(qū)/恒溫區(qū)	440mm/200mm
工作溫度	≤1100℃
控溫模式	PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制
控溫精度	±1℃
電功率	AC220V/50HZ/3KW
質(zhì)量供氣系統(tǒng)
標準量程	50-500ml/min
壓力表測量范圍	-0.1Mpa～0.15Mpa
極限壓力	3MPa
針閥	316不銹鋼
電功率	AC220V/50HZ/20W
響應(yīng)時間	氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
重復(fù)精度	±0.2%
真空系統(tǒng)參數(shù)
工作電電壓	220V±10% 50~60HZ
功率	400W
極限真空	4X10-1Pa
進/排氣口口徑	KF25
射頻電源
信號頻率	13.56 MHz±0.005%
功率輸出范圍	5W-500W
供電電壓	單相交流（187V-253V）頻率50/60HZ
整機效率	≥70%