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鎢燈絲掃描電子顯微鏡

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更新時(shí)間：2023-07-22 10:04:29瀏覽次數(shù)：97次

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深圳市天禧儀器有限公司

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聯(lián)系人：劉先生

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

新型Prisma E掃描電子顯微鏡（SEM）將各種成像和分析模式與新的*自動(dòng)化相結(jié)合，為同類(lèi)產(chǎn)品提供最完整的解決方案。它非常適用于需要高分辨率，樣品靈活性和易于使用的操作界面的工業(yè)研發(fā)，質(zhì)量控制和故障分析應(yīng)用。Prisma E成功獲得了極為成功的Quanta SEM。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)：

1 電子光學(xué)：

1.1 發(fā)射源：鎢燈絲（高性能電子光學(xué)鏡筒，雙陽(yáng)極熱發(fā)射電子槍?zhuān)?/span>

1.2 固定式物鏡光闌，無(wú)需手動(dòng)調(diào)整使用方便

1.3 加速電壓：200V – 30kV，自動(dòng)256級(jí)偏壓設(shè)計(jì)

1.4 放大倍數(shù)：6× - 1000000×

1.5 極靴內(nèi)有一路單獨(dú)抽真空系統(tǒng)，保證在低真空和環(huán)境模式下電子槍高真空和不受污染，延長(zhǎng)燈絲壽命

1.6 電子束束流：可達(dá)到的值不小于2µA，并連續(xù)可調(diào)

1.7 使用工廠預(yù)對(duì)中燈絲更換方便

2 真空系統(tǒng)

2.1 1個(gè)250 l/s分子渦輪泵+1個(gè)機(jī)械泵

2.2 高真空模式：＜1×10-5 Pa

2.3 低真空模式：10 – 130 Pa

2.4 環(huán)境真空模式：10 – 2600 Pa

2.5 高真空模式下的換樣時(shí)間：≤150秒

2.6 低真空及環(huán)境真空模式下的換樣時(shí)間：≤270秒

3 分辨率

3.1 高真空模式下的分辨率

3.1.1 30 kV下3.0 nm (二次電子)

3.1.2 30 kV下3.5 nm (背散射電子)

3.1.3 3 kV下8.0 nm (二次電子)

3.2 環(huán)境真空模式下的分辨率（以英文樣本公布的參數(shù)為準(zhǔn)，并作為驗(yàn)收指標(biāo)）

3.2.1 30 kV下3.0 nm (二次電子)

3.2.2 具備獨(dú)立的環(huán)境真空/超低真空模式二次電子探頭

Prisma E材料科學(xué)SEM

對(duì)于需要性能和易用性的多用戶(hù)實(shí)驗(yàn)室而言，最完整的SEM。

出色的成像

多用戶(hù)實(shí)驗(yàn)室需要顯微鏡在短時(shí)間內(nèi)生成具有相關(guān)數(shù)據(jù)的高質(zhì)量圖像。Prisma E采用基于四極槍組件的強(qiáng)大成像系統(tǒng)滿(mǎn)足了這一需求，可在各種光束能量和真空條件下提供出色的結(jié)果。在所有這些條件下，地形圖和成像圖都提供了必要的樣本信息。通過(guò)同步采集，該信息可供隨后進(jìn)一步解釋和分析。

電子光學(xué)：
1.1發(fā)射源：鎢燈絲（高性能電子光學(xué)鏡筒，雙陽(yáng)極熱發(fā)射電子槍?zhuān)?br>1.2固定式物鏡光闌，無(wú)需手動(dòng)調(diào)整使用方便
*1.3加速電壓：200V – 30kV，自動(dòng)256級(jí)偏壓設(shè)計(jì)
1.4放大倍數(shù)：6× - 1000000×
1.5極靴內(nèi)有一路單獨(dú)抽真空系統(tǒng)，保證在低真空和環(huán)境模式下電子槍高真空和不受污染，延長(zhǎng)燈絲壽命
1.6電子束束流：可達(dá)到的值不小于2µA，并連續(xù)可調(diào)
1.7使用工廠預(yù)對(duì)中燈絲更換方便

真空系統(tǒng)
2.11個(gè)250 l/s分子渦輪泵+1個(gè)機(jī)械泵
2.2高真空模式：＜1×10-5 Pa
*2.3低真空模式：10 – 130 Pa
*2.4環(huán)境真空模式：10 – 2600 Pa
*2.5高真空模式下的換樣時(shí)間：≤150秒
*2.6低真空及環(huán)境真空模式下的換樣時(shí)間：≤270秒

分辨率
3.1高真空模式下的分辨率
3.1.130 kV下3.0 nm (二次電子)
3.1.230 kV下4.0 nm (背散射電子)
*3.1.33 kV下8.0 nm (二次電子)

**3.2環(huán)境真空模式下的分辨率（以英文樣本公布的參數(shù)為準(zhǔn)，并作為驗(yàn)收指標(biāo)）
**3.2.130 kV下3.0 nm (二次電子)
3.2.2具備獨(dú)立的環(huán)境真空/超低真空模式二次電子探頭