AW40-04BE-2,SMC溫控器選型參數(shù)
且吸著速度要快,則真空發(fā)生器的噴嘴直徑應(yīng)越大.
⑥真空發(fā)生器在滿足使用要求的前提下應(yīng)減小其耗氣量(L/min),耗小數(shù)點(diǎn)的照勻的
,并且Ru和Rd具有相同的電阻。 (b)當(dāng)氣體從左側(cè)流動時
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MEMS傳感器芯片包括從安裝在膜上的鉑薄膜涂覆加熱器(Rh)的中心對稱放置
的上游溫度測量傳感器(Ru)和下游溫度測量傳感器(Rd),以及環(huán)境溫度傳感器
Ra)測量氣體溫度。原理如右圖所示。 (a)當(dāng)氣體靜止時,以Rh為中心的加熱
氣體的溫度分布是均單元參考可以在標(biāo)準(zhǔn)條件和正常條件之間選擇。
?外部輸入功能外部輸入功能可從累加值外部復(fù)位,自動移位和自動移位零中選擇
(輸入信號:將輸入線連接至GND 30ms以上。)外部復(fù)位:當(dāng)施加輸入信號時,
此功能將累計值復(fù)位為“0”。自動移位:當(dāng)應(yīng)用輸入信號時,該功能產(chǎn)生與實時
流速相關(guān)的變化。自動切換零:當(dāng)在上述自動移位功能中施加正輸入信號時,
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此功能將實時流速顯示為“0”。相對地在負(fù)側(cè)的設(shè)定值和流速由在zui左側(cè)的
吸附管道及吸盤或密閉艙容積等),吸附表面的泄漏量與所需吸入口處壓力的大小有
關(guān).對一定吸入口處壓力要求來說,若吸附腔的容積越小,響應(yīng)時間越短;若吸入口處
壓力越高,吸附容積越小,表面泄漏量越小,則吸著響應(yīng)時間亦越短;若吸附容積大,
VQZ115-5M-01 VQZ215-4Y VQZ242-4LB-C6 VQZ332-5LB-C8 VQZ342-5LB-C8
VQZ115-5MB-C4 VQZ215-5G VQZ242-4L-C6 VQZ332-5L-C8 VQZ342-5YB-02
VQZ115-5MB-C4-PR VQZ215-5G-01 VQZ242-4L-M5 VQZ332-5M-02 VQZ342-5YB-C10
VQZ115-5M-C4-PR VQZ215-5GB VQZ242-4YB-C6 VQZ332-5MB-02 VQZ342-5YB-C6
VQZ115-5M-C6-PRF VQZ215-5GB-02 VQZ242-5GB-C4 VQZ332-5MB-C8-F VQZ342-5YB-C8
VQZ115-5M-CP VQZ215-5L VQZ242-5GB-C6 VQZ332-5M-C6 VQZ342-5YZ-02
VQZ115-5MO-C4 VQZ215-5L-01 VQZ242-5GB-M5 VQZ332-5M-C8 VQZ342-5YZB-02
VQZ115-5YB-C6 VQZ215-5L-02 VQZ242-5LB-C6 VQZ332-5MOB-C8-F VQZ342-5YZB-C8
AW40-04BE-2,