圖一：100TPH反滲透純水設(shè)備                   

圖二：60TPH EDI超純水設(shè)備

出水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)
國(guó)家電子行業(yè)高純水標(biāo)準(zhǔn)GB/T11446.1-1997五個(gè)等級(jí)

工藝流程
1、采用離子交換方式，其流程如下：自來(lái)水→電動(dòng)閥→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟化水器→中間水箱→增壓泵→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂床→陰樹(shù)脂床→雙混床→超純水箱→超純水泵→TOC分解→拋光混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
2、采用RO+MB方式，其流程如下：自來(lái)水→電動(dòng)閥→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟化水器→中間水箱→增壓泵→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透主機(jī)→雙混床→超純水箱→超純水泵→TOC分解→拋光混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
3、采用RO+EDI方式，其流程如下（工藝性價(jià)比高）：自來(lái)水→電動(dòng)閥→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟化水器→中間水箱→增壓泵→精密過(guò)濾器→一級(jí)或二級(jí)反滲透→中間水箱→EDI水泵→EDI系統(tǒng)→超純水箱→超純水泵→TOC分解→拋光混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)

三種工藝比較
制備電子工業(yè)超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來(lái)?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于下面：
1、采用傳統(tǒng)的離子交換樹(shù)脂其優(yōu)點(diǎn)在于初次投資少，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費(fèi)大量酸堿，而且對(duì)環(huán)境有一定的破壞。
2、采用反滲透+離子交換設(shè)備，其特點(diǎn)為初次投資比采用離子交換樹(shù)脂方式要稍高，但離子再生周期相對(duì)要長(zhǎng)，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。是比較經(jīng)濟(jì)與流行的一種工藝。
3、采用反滲透作預(yù)處理再配上電去離子裝置，這是目前制取超純水相對(duì)*，環(huán)保的的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對(duì)環(huán)境沒(méi)什么破壞性。其缺點(diǎn)在于初次投資相對(duì)以上兩種方式高。

應(yīng)用
半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的純水、高純水、超純水清洗半成品、成品。