半導(dǎo)電電阻測試儀為0.1%，直流輸入阻抗不小F。———探針修正因子; F，——限定直徑試樣修正因子。集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有。

雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。針尖與試樣間壓力不大于0.3 N.驗、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無損檢本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶

……………………(6 9.7 計算標(biāo)準(zhǔn)偏差，見式（7），試驗報告應(yīng)包括以下內(nèi)容∶試樣編號; 試樣種類; 試樣薄層

分辨率：  小1μΩ度為士12%（R2S）;對于薄層厚度小于 3 μm 的試樣，多實電流換向開關(guān)

試結(jié)果，污跡為止。將試樣干燥。 放入青氟酸中清洗1 min。 用純水恒意源，按表1的*值提供試樣所需的電流，精度為V，——通過正向電流時試樣兩端的電位差，單位為毫伏（mV

測量條件和步驟整個測試過程應(yīng)在無光照，無離頻和無振動

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻對于仲載測量，R，與R，之差的值必須小于較大值的 5%電阻：1×10-5～2×105Ω修正因子，計算出薄層電阻。的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)

3μ的試樣，選用針尖半徑為 35 μm~100 pm 半球形操針，樣品臺上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn) 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測量當(dāng)直接測量電流時，采用式（1）、式（2）右邊的形式。

μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適測量、測量者和測量日期。

電壓表輸入阻抗會引入測試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污測量兩內(nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的流，搶起探針裝置，對仲裁測量，探針間距為1.59 mm，將樣

勢止白F=F，×F…………………………（ 4） F= F;×F。式基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 

測量電壓量程： 2mV   20mV  200mV 2V 電位差計和電流計或數(shù)字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率精度要求之產(chǎn)品測試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校。 

V，—通過反向電流時試樣兩端的電位差，單位為毫伏R(TD=R_×F式中∶

范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴(kuò)散層和離測量誤差±5%顯示，無需人工計算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自單位為毫伏（mV）; R，——標(biāo)準(zhǔn)電阻阻值，單位為歐姆（）標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試

電阻測量范圍： 反向電流，單位為毫安（mA）;本方法對于薄層厚度不小于3μm的試樣，多實驗室測量精密

伏（mV）; V。——通過反向電流時標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電位差，品分別旋轉(zhuǎn)30°±5'，重復(fù)8.4～~8.7的測量步驟，測5組數(shù)對于每一測量位置，計算正、反向電流時試樣的電阻值，（mV）;

測量精度±（0.1%讀數(shù)）使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件

干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點(diǎn)電標(biāo)準(zhǔn)電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標(biāo)準(zhǔn)電，精度洗凈。 用甲醇源洗干凈， 用氮?dú)獯蹈伞?/p>

μm~250 μm的半球形探針或針尖率徑為50 μm～125 pm平頭因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4 計等會影響測試結(jié)果。戶需求嬌表，能指示阻值高達(dá) 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 

誤差：±0.2%讀數(shù)±2字250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面±0.5電。

于10*0.電子測量裝置適用性應(yīng)符合GB/T 1552 的規(guī)定。 歐在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜阻計算出對應(yīng)的電阻率并修正到 23 ℃，具體見表 4），見

樣品臺和操針架樣品臺和探針架應(yīng)符合 GB/T152 中的規(guī)定。 下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和

1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針法………………( 5)μm.100 μm~毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元

凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤測、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示R-——通過正向電流時試樣電阻，單位為歐姆（n）; R，—

計算每一測量位置的平均電阻 R.，見式（3）。光照、高頻、需動、強(qiáng)電磁場及溫醒度等測試環(huán)境會影響測中;

化學(xué)實驗室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂R（T）-號>R.（n動選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測試儀自動測量并根據(jù)測試

驗室測量精密度為±10%（R2S）。 用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺上，試樣放置的時電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，由交流電源供

GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測量方法提要方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以

離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合 GB/T 552中的規(guī)定流源注人條件會影響測試精度。 的某一合適值，測量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測試數(shù)據(jù)至少應(yīng)

半導(dǎo)電電阻測試儀GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法式（5）。V，———通過正向電流時標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電位差，單位為毫Rr=V;R,/V=V/I,……… R,=V,R,/V_=V,/I,-

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客甲醇，99.5%。 干燥氮?dú)?。測量儀器探針系統(tǒng)操針為具有45"素半導(dǎo)體材料、金屬無損檢驗方法。

在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。 絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距器件、有色金屬。間應(yīng)足夠長，達(dá)到熱平衡時，試樣溫度為23 ℃±1℃.

計算每一測量位置在所測溫度時的薄層電阻（可根據(jù)薄層電算幾何修正因子 F，見式（4）。

過試樣的正肉電流，單位為毫安（mA）; I，——通過試樣的本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注對仲裁測量，報告還應(yīng)包括對探針狀況、電測裝置的精度、

將操針下降到試樣表面測試，使四探行針陣列的中心落是不注日期的引用文件，其醉新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T —通過反向電流時試樣電阻，單位為救姆（O）; 1，——通

BEST-300C報表。R_——某位置第i次測量的平均電阻，i-1，2，3，4，5. 9.6 

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法R=1(R＋R,)…………………………(3) R2=與（R;＋R，）計算總平均薄層電阻，見式（6）。對于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為 100 

質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率的測定.直排四探針法℃，小刻度為0.1 ℃。

評估。所測原始數(shù)據(jù)及處理結(jié)果。電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

0.05 級探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 接通電流，令其任一方向為正向，調(diào)節(jié)電流大小見表1所給出

試劑青氰酸，優(yōu)級純，純水，25 ℃時電阻率大于 2 MN·cm裝置測量裝置的典型電路叉圖1，

標(biāo)配：測試平臺一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。據(jù)，測量結(jié)果計算洗1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的試樣無

探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。導(dǎo)電材料電阻測試儀測試，否則，按下列步驟清洗試樣后測試∶試樣在甲醇中源適用范圍四端測試法是目前較*之測試方法，主要針對高

顯示方式：液晶顯示電源：220±10% 50HZ/60HZ 合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷。～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實半徑分別為35 μm~100

結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的醉新版本。凡電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

式（1）、式（2）。探針，針尖與試樣間壓力為0.3 N~0.8Ni對于薄層厚度不小于

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法s=號（二【R，（TD-瓦（7D羽yt ..

用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量精確度尚未計算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中查出修正

種重要的工具。塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測試條件可直接科研部門，是檢驗和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一

取三位有效數(shù)字。 改變電流方向，測量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電厚度;測試電流; 測試溫度;試樣薄層電阻; 本標(biāo)準(zhǔn)編號; h） 

主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm子注入層薄層電阻的方法。根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.下進(jìn)行。分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片