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連續(xù)波長(zhǎng)色散X射線熒光光譜儀

Rigaku 的 ZSX Primus 400 連續(xù)波長(zhǎng)色散 X 射線熒光 (WDXRF) 光譜儀專為處理非常大或重的樣品而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)可接受直徑為 400 毫米、厚度為 50 毫米和質(zhì)量為 30 千克的樣品，非常適合分析濺射靶材、磁盤(pán)，或用于多層薄膜計(jì)量或大型樣品的元素分析。

優(yōu)點(diǎn)

帶有定制樣品適配器系統(tǒng)的 XRF,適應(yīng)特定樣品分析需求的多功能性，可使用可選適配器插件適應(yīng)各種樣品尺寸和形狀。憑借可變測(cè)量點(diǎn)（直徑 30 毫米至 0.5 毫米，具有 5 步自動(dòng)選擇）和具有多點(diǎn)測(cè)量的映射功能以檢查樣品均勻性。

具有可用相機(jī)和特殊照明的 XRF,可選的實(shí)時(shí)攝像頭允許在軟件中查看分析區(qū)域。

仍保留了傳統(tǒng)儀器的所有分析能力。

安全性

采用上照射設(shè)計(jì),樣品室可簡(jiǎn)單移出，再不用擔(dān)心污染光路，清理麻煩和增加清理時(shí)間等問(wèn)題。

應(yīng)用領(lǐng)域

固體、液體、粉末、合金和薄膜的元素分析:

濺射靶材組成.

隔離膜：SiO₂、BPSG、PSG、AsSG、Si?N?、SiOF、SiON等。

高 k 和鐵電介質(zhì)薄膜：PZT、BST、SBT、Ta2O5、HfSiOx

金屬薄膜：Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni等。

電極膜：摻雜多晶硅（摻雜劑：B、N、O、P、As）、非晶硅、WSix、Pt等。

其他摻雜薄膜（As、P）、困惰性氣體（Ne、Ar、Kr等）、C（DLC）

鐵電薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR；PCM、GST、GeTe

焊料凸點(diǎn)成分：SnAg、SnAgCuNi

MEMS：ZnO、AlN、PZT的厚度和成分

SAW器件工藝：AlN、ZnO、ZnS、SiO 2（壓電薄膜）的厚度和成分；Al、AlCu、AlSc、AlTi（電極膜）

■ 技術(shù)參數(shù)

大樣本分析： 400 毫米（直徑）， 50 毫米（厚度），高達(dá) 30 千克（質(zhì)量）

樣品適配器系統(tǒng)，適用于各種樣本量

測(cè)量點(diǎn)：30 毫米至 0.5 毫米直徑，5步自動(dòng)選擇

映射能力，允許多點(diǎn)測(cè)量

樣品視圖相機(jī)（可選）

分析范圍：Be - U

元素范圍：ppm 至 %

厚度范圍：sub ? 至 mm

衍射干擾抑制（可選）：單晶襯底的準(zhǔn)確結(jié)果

符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：SEMI、CE標(biāo)志

占地面積小，以前型號(hào)的 50% 占地面積

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