鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導(dǎo)體），由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場(chǎng)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。
公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來自工業(yè)界的高級(jí)裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備*的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
公司主營業(yè)務(wù)
微納米材料與器件、微納米制造工藝、微納工藝裝備、工藝自動(dòng)化及軟件系統(tǒng)
化合物半導(dǎo)體襯底材料和外延片
|化合物半導(dǎo)體系列
氮化鎵、碳化硅、氧化鎵、砷化鎵、金剛石等
|物理氣相沉積（PVD）系列
磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)、離子束濺射、離子輔助磁控濺射、多弧離子鍍、磁控濺射與離子束濺射復(fù)合、磁控濺射與多弧離子鍍復(fù)合
|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列
PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、熱絲CVD、微波CVD
|超高真空系列
MBE分子束外延設(shè)備（科研型、生產(chǎn)型）、超高真空磁控濺射外延設(shè)備（10-8Pa）
|其它
ICP等離子刻蝕機(jī)、半導(dǎo)體合金退火爐、等離子清洗機(jī)、真空機(jī)械手、金剛石薄膜與厚膜生長設(shè)備
|團(tuán)簇式設(shè)備系列
太陽能薄膜電池設(shè)備：PECVD+磁控濺射+樣品預(yù)處理+真空自動(dòng)機(jī)械手
OLED中試設(shè)備：熱蒸發(fā)+電子束+磁控濺射+PECVD+樣品預(yù)處理+真空自動(dòng)機(jī)械手+手套箱封裝室
綜合薄膜制備和器件制造實(shí)驗(yàn)平臺(tái)：以內(nèi)置真空機(jī)械手的樣品傳遞室為中心（配4～8個(gè)進(jìn)出口），配置各真空工藝室
|技術(shù)服務(wù)
非標(biāo)成套薄膜制備設(shè)備設(shè)計(jì)制造、薄膜制備設(shè)備升級(jí)改造、自動(dòng)化軟硬件設(shè)計(jì)
承接工藝研發(fā)、樣品試制與打樣、進(jìn)口設(shè)備真空零部件的維修和替換及控制系統(tǒng)更新
本科及研究生的畢業(yè)課題立項(xiàng)及實(shí)訓(xùn)培養(yǎng)、工程師培訓(xùn)
團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績分布
wan*quan自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺(tái)、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到2×10-8Pa。
設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室投入使用，至今仍在正常使用。
設(shè)計(jì)制造磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。
設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。
設(shè)計(jì)制造了全自動(dòng)磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng)，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位國家光電實(shí)驗(yàn)室。
設(shè)計(jì)制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。現(xiàn)使用單位香港城市大學(xué)*材料實(shí)驗(yàn)室。
設(shè)計(jì)制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實(shí)現(xiàn)LED無機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。
設(shè)計(jì)制造了磁控濺射研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所。
設(shè)計(jì)制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。
團(tuán)隊(duì)在第三代半導(dǎo)體裝備及工藝方面的技術(shù)積累
2001年 與南昌大學(xué)合作
設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。
2005年 與浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作
設(shè)計(jì)制造了di*yi臺(tái)wan*quan自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備，用于外延光電半導(dǎo)體材料。
2006年 與中國科技大學(xué)合作
設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)超高溫CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生長。
2007年 與蘭州大學(xué)物理學(xué)院合作
設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級(jí)金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。
2015年 中科院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室合作
設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜。
2017年
-優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì)，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)。
-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進(jìn)行設(shè)備工藝驗(yàn)證。
2019年 設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。
2021年 MBE生產(chǎn)型設(shè)計(jì)。
2022年 大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。
2023年 PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關(guān)。
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