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伯東 KRI 考夫曼射頻離子源輔助 LED 封裝 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 輔助 LED 封裝
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源輔助鍍制 OSR 膜層 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 輔助鍍制 OSR 膜層
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源用于修正高精度 CGH 基底 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFICP220 用于修正高精度 CGH 基底
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源用于清洗繼電器 詳細(xì)摘要: 伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 用于清洗繼電器
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼離子源輔助濺射制備鋰硫電池正極片 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助濺射沉積制備鋰硫電池正極片
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源輔助濺射鍍制 Al2O3 薄膜 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFICP 380 輔助濺射鍍制 Al2O3 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼聚焦離子源輔助濺射制備GdF3光學(xué)薄膜 詳細(xì)摘要: 考夫曼聚焦射頻離子源 RFCIP220輔助濺射制備 GdF3光學(xué)薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 離子源已成功應(yīng)用在塑料光學(xué)鏡頭應(yīng)用 詳細(xì)摘要: KRI RFICP325 離子源已成功應(yīng)用在塑料光學(xué)鏡頭應(yīng)用
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼聚焦射頻離子源輔助制備原子探針樣品 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼聚焦射頻離子源 RFICP380 輔助制備原子探針樣品
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI考夫曼射頻離子源輔助濺射制備LaF3薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射制備 LaF3 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-08 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射鍍制TC4表面TiN涂層 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 濺射鍍制 TC4 表面 TiN 涂層
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備 MnGe 量子點(diǎn) 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射制備 MnGe 量子點(diǎn)
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
射頻離子源制備高性能光通信帶通濾光膜 詳細(xì)摘要: 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 制備高性能光通信帶通濾光膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備 VO2 薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備 VO2 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源應(yīng)用于 AlTiN 涂層研究 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射制備堵片傳感器薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-08-07 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射制備堵片傳感器薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射制備堵片傳感器薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源濺射制備類金剛石Ta-C涂層 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備類金剛石 Ta-C 涂層
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源輔助磁控濺射沉積Cu-W 膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積 Cu-W 膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源用于濺射沉積 ZrN 薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 用于鋁表面濺射沉積 ZrN 薄膜
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言 -
考夫曼射頻離子源用于濺射沉積硅片金屬薄膜 詳細(xì)摘要: KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 成功用于復(fù)合磁控濺射沉積裝置
產(chǎn)品型號(hào): 所在地:上海市 更新時(shí)間:2023-07-10 參考價(jià):¥ 300000 在線留言